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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210598547.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法是由冯玉霞;张运龙;韦佳;孙宇廷设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法，通过在外延衬底表面覆盖二维材料生长GaN基外延层，在外延生长之后将GaN基外延层图形化为平方厘米量级的小图形，同时利用图形化过程中的硬质掩膜层作为应力层，以微机械剥离方式实现GaN基外延层的大面积无损剥离。该方法利用二维材料与衬底和外延层、或二维材料层间的弱结合力，并通过将GaN基外延层图形化为一定面积的小图形克服因二维材料缺陷导致的大尺寸晶片内部应力分布不均匀问题，实现GaN基外延层大面积剥离和外延衬底重复利用。因此本发明在实现高质量大面积GaN基外延层剥离的同时，具有工艺简单、工艺兼容性好和成本低的优势。

本发明授权基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法在权利要求书中公布了：1.基于图形化GaN基外延层的大面积微机械剥离方法，其特征在于，包括： 1在外延衬底上形成二维材料； 2在外延衬底和二维材料复合衬底上外延生长GaN基外延层； 3将GaN基外延层刻蚀为特定面积的小图形，所述小图形指的是平方厘米量级： 3a在GaN基外延层表面涂覆光刻胶，用光刻版对光刻胶进行曝光显影， 形成图形； 3b在上述涂覆图形化光刻胶的GaN基外延层表面沉积硬质掩膜，通过lift-off技术形成掩膜图形； 3c在无掩膜区域深刻蚀GaN基外延层至复合衬底表面； 4以微机械剥离方法将GaN基外延层从生长衬底表面剥离； 步骤1中在外延衬底上形成二维材料，外延衬底包括以下衬底中的一种：蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、氮化铝、金刚石、氧化硅、石英玻璃；所述二维材料为石墨烯、六方氮化硼或二硫化钼，二维材料厚度为1-3层；所述在外延衬底上二维材料的形成方式包括转移、热蒸发或沉积生长； 步骤2中在外延衬底二维材料复合衬底上外延生长GaN基外延层，GaN基外延层包括以下外延层中的一种或几种：AlN成核层、GaN、n-GaN、p-GaN、AlGaN和InGaN； 步骤3中将GaN基外延层刻蚀为特定面积的小图形，小图形的形状为圆形或方形，面积为0.5-2cm2，小图形之间间距为5-500μm； 步骤3中用光刻版对光刻胶进行曝光显影并形成图形，光刻胶为负性光刻胶； 步骤4中以微机械剥离方法将GaN基外延层从生长衬底表面剥离，掩膜层无需去除，在此作为应力层辅助剥离，将热释胶或聚二甲基硅氧烷粘附于掩膜层表面，携带GaN基外延层在二维材料界面实现与生长衬底的分离。

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