河南师范大学张林庆获国家专利权
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龙图腾网获悉河南师范大学申请的专利一种三维集成的滤波器制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210449739.5，技术领域涉及：H10D88/00；该发明授权一种三维集成的滤波器制备方法及其结构是由张林庆;武志燕;吴小莉;苗万青;李红芳设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维集成的滤波器制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维集成的滤波器制备方法及其结构，该方法包括，单晶硅表面刻蚀出沟槽并在沟槽底部刻蚀出单晶硅纳米孔阵列；在单晶硅纳米孔表面制备出电容结构；在沟槽表面依次沉积刻蚀终止层和第一隔离介质并刻蚀出第一隔离介质纳米孔结构；在第一隔离介质纳米孔表面制备出电感结构并实现电容和电感串联；进行金属布线获得滤波器的两个接触电极。本发明将滤波器直接在芯片表面集成，减少了其所占据片面面积，有效提高了有源区域的集成度。
本发明授权一种三维集成的滤波器制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种三维集成的滤波器制备方法，其特征在于：包括： 单晶硅表面刻蚀出沟槽并在沟槽底部刻蚀出单晶硅纳米孔阵列； 在单晶硅纳米孔表面制备出电容结构； 在沟槽表面依次沉积刻蚀终止层和第一隔离介质并刻蚀出第一隔离介质纳米孔结构； 在第一隔离介质纳米孔表面制备出电感结构并实现电容和电感串联； 所述在第一隔离介质纳米孔内部制备出电感结构并实现电容和电感串联，具体包括： 在第一隔离介质纳米孔、刻蚀终止层以及刻蚀终止层沟槽的表面沉积第二金属层，所述第二金属层形成电感结构； 刻蚀终止层沟槽处的第一顶部金属电极层与第二金属层相互连通，实现电容和电感串联； 去除左侧的部分第一绝缘介质、第一顶部金属电极层、刻蚀终止层和第二金属层，裸露出第一底部金属电极层； 在第二金属层及裸露的第一底部金属电极层表面沉积第二隔离介质； 所述第二隔离介质完全填充第一隔离介质纳米孔结构； 进行金属布线获得滤波器的两个接触电极。
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