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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114742217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210430993.0，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路是由朱云来;邹建勋;吴祖恒;冯哲;王旭;彭星;周仁发;邓成功;代月花设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于忆阻器的VFL‑RELU脉冲神经元的电路，属于集成电路设计技术领域。一种基于忆阻器的VFL‑RELU脉冲神经元的电路，包括：BDW阈值忆阻器、电容、金氧半导场效的晶体管MOSFET。所述BDW阈值忆阻器具有双边不同窗口，将所述金氧半导场效晶体管MOSFET的栅极电压作为输入电压，所述晶体管MOSFET的漏极作为输出，对所述电容充电，待所述电容上电压小于所述BDW阈值忆阻器的保持电压Vh，所述BDW阈值忆阻器变为高阻态，所述BDW阈值忆阻器分压变大，所述电容重新充电；所述半导场效晶体管MOSFET包括P型MOSFET和N型MOSFET，输入电压可以调谐输出脉冲频率。本发明所提供的脉冲神经元电路通过忆阻器的选择和偏置电压的添加，解决了高效脉冲神经元的电路设计问题，且电路简单。

本发明授权一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻器的VFL-RELU脉冲神经元的电路，其特征在于，包括：BDW阈值忆阻器、电容、金氧半导场效晶体管MOSFET； 所述BDW阈值忆阻器具有双边不同窗口，所述BDW阈值忆阻器和电容并联，然后串联所述金氧半导场效的晶体管MOSFET；将所述金氧半导场效晶体管MOSFET的栅极电压作为输入电压，所述晶体管MOSFET的漏极作为输出，对所述电容充电，待所述电容上电压小于所述BDW阈值忆阻器的保持电压Vh，所述BDW阈值忆阻器变为高阻态，所述BDW阈值忆阻器分压变大，所述电容重新充电；所述半导场效晶体管MOSFET包括P型MOSFET和N型MOSFET，输入电压能够调谐输出脉冲频率，填加所述P型MOSFET，满足输入电压为负时，调谐脉冲的发射，当输入电压为负时，所述N型MOSFET关断呈现超高阻态，所述P型MOSFET打开；同理当输入电压为正时，所述P型MOSFET关断呈现超高阻态，所述N型MOSFET打开；通过时分复用的方式实现VFL-ReLU脉冲神经元编码，当输入为正时，使用正上拉电压VDD，此时利用忆阻器正向窗口实现VFL-ReLU脉冲神经元的正向编码；输入为负时，使用负的上拉所述电压VDD，此时利用所述BDW阈值忆阻器负向窗口实现VFL-ReLU脉冲神经元的负向编码。

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