拓荆科技股份有限公司郭月获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利晶圆支撑柱及晶圆处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111470945.6，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权晶圆支撑柱及晶圆处理设备是由郭月;谈太德设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆支撑柱及晶圆处理设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内用于承托晶圆，其包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有至少一个凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与支撑柱本体的底端部相接，减小了支撑柱本体的顶端部的面积，使得在工艺过程中晶圆支撑柱与晶圆之间的静电力或其他吸附力减至最小，大大降低晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，且使得晶圆支撑柱和基座孔之间具有空隙，从而减少基座孔内因气体热膨胀而导致晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，以及减少晶圆支撑柱在基座孔内卡死的风险。本发明还提供了一种晶圆处理设备。
本发明授权晶圆支撑柱及晶圆处理设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内，用于承托晶圆，其特征在于， 所述晶圆支撑柱包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与所述支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与所述支撑柱本体的底端部相接；所述凹陷部设有N个，所述N为2或2的倍数，所述凹陷部两两对称设置于所述支撑柱本体的侧壁； 所述晶圆支撑柱包括上部件、下部件和高度调节结构，所述上部件和所述下部件通过所述高度调节结构连接固定。
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