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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111408938.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统是由黄腾设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统。其包括：在衬底中形成间隔设置的高压阱区和低压阱区；对应高压阱区形成第一栅极氧化层和对应低压阱区形成第二栅极氧化层于衬底上；分别形成第一栅极和第二栅极于第一栅极氧化层和第二栅极氧化层上；分别形成第一介质部和第二介质部于第一栅极上表面和第二栅极上表面；形成位于第一栅极两侧的第一开孔和第二开孔于第一栅极氧化层中，或形成第一开孔和第二开孔于第一栅极氧化层中、形成第三开孔于第一介质部中以及形成第四开孔于第二介质部中；对应第一开孔和第二开孔形成第一金属接触结构于衬底中。本发明实施例不需要额外新增SAB制程，可以简化工艺工序，降低工艺成本。

本发明授权半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有间隔设置的高压阱区和低压阱区； 形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层于所述衬底上，且所述第一栅极氧化层对应所述高压阱区，所述第二栅极氧化层对应所述低压阱区； 分别形成第一栅极和第二栅极于所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层上； 形成层叠的氧化层、氮化层覆盖于所述衬底、所述第一栅极以及所述第二栅极上； 对所述氧化层、所述氮化层进行处理，以形成位于所述第一栅极侧壁的第一侧墙和位于所述第一栅极远离所述第一栅极氧化层的表面的第一介质部，以及形成位于所述第二栅极侧壁的第二侧墙和位于所述第二栅极远离所述第二栅极氧化层的表面的第二介质部； 形成第一开孔和第二开孔于所述第一栅极氧化层中、形成第三开孔于所述第一介质部中以及形成第四开孔于所述第二介质部中，且所述第一开孔与所述第二开孔分别位于所述第一栅极的两侧；以及 形成金属接触层，所述金属接触层包括形成于所述第一开孔与所述第二开孔中的第一金属接触结构、形成于所述第三开孔中的第三金属接触结构以及形成于所述第四开孔中的第四金属接触结构。

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