株式会社日本显示器花田明纮获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114582979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111367388.5,技术领域涉及:H10D30/67;该发明授权半导体装置是由花田明纮;渡壁创;海东拓生;小野寺凉设计研发完成,并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体装置,其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有:氧化物半导体层;栅极绝缘层;隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极;与所述氧化物半导体层接触的源极电极;与所述氧化物半导体层接触的漏极电极;和第1金属层,其与所述氧化物半导体层接触,并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种在各像素中具有薄膜晶体管的半导体装置,其特征在于, 所述薄膜晶体管具有: 氧化物半导体层; 栅极绝缘层; 隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极; 与所述氧化物半导体层接触的源极电极; 与所述氧化物半导体层接触的漏极电极;和 第1金属层,其与所述氧化物半导体层接触,并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间, 所述氧化物半导体层具有:沟道区域;漏极区域;和位于所述沟道区域与所述漏极区域之间的与所述沟道区域和所述漏极区域分别接触的低电阻区域,所述低电阻区域的至少一部分与所述第1金属层接触, 所述低电阻区域的氧浓度比所述沟道区域的氧浓度低。
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