恭喜旺宏电子股份有限公司郑怀瑜获国家专利权
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龙图腾网恭喜旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010380908.5，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法是由郑怀瑜;龙翔澜设计研发完成，并于2020-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法，该存储器装置具有特定氧化硅SiOx掺杂至特别的富含锗的GexSbyTez材料的相变材料。作为一存储器阵列之中的存储器元件的使用此相变材料的集成电路可通过本发明所述的焊接结合标准，而展现良好的设定速度及显示良好的10年数据保存特性。本发明所述的存储单元包括一第一电极及一第二电极；以及一存储器元件，电串联于此第一电极及此第二电极之间。此存储器元件包括一GexSbyTez相变材料与一硅氧化物添加物，包括具有28至36at％的范围的锗Ge、10至20at％的范围的锑Sb、25至40at％的范围的碲Te、5至10at％的范围的硅Si及12至23at％的范围的氧O的多个元素的一组合。
本发明授权存储器装置、集成电路、数据处理装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其中包括： 一第一电极及一第二电极；以及 一存储器元件，电串联于该第一电极及该第二电极之间，该存储器元件包括一GexSbyTez相变材料与一硅氧化物添加物，包括具有28至36at％的范围的锗、10至20at％的范围的锑、25至40at％的范围的碲、5至10at％的范围的硅及12至23at％的范围的氧的多个元素的组合； 一缓冲层，设置在该第二电极与该存储器元件之间，该缓冲层的材料包括碳、碳硅化物或氮化钛； 另一缓冲层，设置在该第一电极上； 一OTS开关层，设置在该另一缓冲层上； 又一缓冲层，设置在该OTS开关层上，以及该存储器元件设置在该又一缓冲层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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