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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539942B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010297241.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由蔡国辉设计研发完成，并于2020-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上有栅极结构，栅极结构两侧的基底内具有源漏区；在基底上形成覆盖栅极结构、源区和漏区的层间介质层；在层间介质层内形成露出源区和漏区的第一接触孔；在第一接触孔底部形成金属硅化物叠层，金属硅化物叠层至少包括一个堆叠单元，堆叠单元包括依次形成于第一接触孔底部的硅层和金属层；对金属硅化物叠层进行退火处理，得到金属硅化物层。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，既避免了源区和漏区离子注入导致的应力下降和沟道电阻增加的问题，又大幅降低了金属硅化物形成过程带来的热堆积，且可以得到组分均匀、质量好的金属硅化物层，有利于降低接触电阻和RC延迟，提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底内具有源区和漏区； 在所述基底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极结构、源区和漏区； 在所述层间介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出所述源区和所述漏区； 在所述第一接触孔底部形成金属硅化物叠层，所述金属硅化物叠层包括两个以上堆叠单元以及位于所述两个以上堆叠单元中最顶层堆叠单元上的硅层，所述堆叠单元包括依次形成于所述第一接触孔底部的硅层和金属层； 对所述金属硅化物叠层进行退火处理，得到金属硅化物层； 在所述第一接触孔的侧壁和底部上形成阻挡层，所述金属硅化物叠层位于所述阻挡层与所述第一接触孔底部之间； 在所述第一接触孔内填充导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。