恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司范瑾瑜获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体器件及形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911026033.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体器件及形成方法是由范瑾瑜;曾红林;施平;蔺黎;冯高明设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，在浮栅材料层的侧壁形成了鸟嘴状的氧化层，因此，在同时去除阻挡层和氧化层后，形成锐化的浮栅悬臂角。避免出现浮栅悬臂角钝化的情况。使浮栅悬臂角处电场集中，有利于浮栅中的电子通过浮栅悬臂角隧穿入擦除栅，提高擦除效率。从而能够提高半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体器件及形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供前端器件层，在所述前端器件层中形成有浮栅材料层和多个覆盖浮栅材料层的分立的控制栅堆叠结构； 去除第一区域的浮栅材料层，所述第一区域位于所述控制栅堆叠结构的第一侧； 减薄第二区域的浮栅材料层，所述第二区域位于所述控制栅堆叠结构的第二侧； 形成至少覆盖所述浮栅材料层和所述控制栅堆叠结构侧壁的阻挡层； 以控制栅堆叠结构和控制栅堆叠结构侧壁的阻挡层为掩膜，刻蚀所述浮栅材料层，以露出所述浮栅材料层在第二侧的侧壁，同时，所述阻挡层覆盖所述浮栅材料层在第一侧的侧壁； 氧化未被所述阻挡层覆盖的所述浮栅材料层在第二侧的侧壁，以形成氧化层；以及 去除所述氧化层和所述阻挡层，以形成浮栅，使得浮栅悬臂角锐化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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