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龙图腾网恭喜南昌凯迅光电有限公司申请的专利一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109560166B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811416792.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法是由万智;徐培强;林晓珊;张银桥;汪洋;王向武设计研发完成，并于2019-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超晶格空间GaInPInGaAsGe电池外延片的制造方法，目前，GaInPInGaAsGe三结电池中Ge材料禁带宽度较小，吸收的光谱范围较宽，导致其电流密度远大于InGaAs中电池和GaInP顶电池层，造成了太阳光的利用率的损失，本发明公开了一种超晶格空间GaInPInGaAsGe电池外延片的制造方法，它是分别在中电池和顶电池的基区中引入超晶格结构，即：本发明通过在中电池的p‑GaInAs基区层和顶电池的p‑GaInP基区层之中分别引入GaAsPGaInAs和GaInPAlGaInP超晶格，因而能改善电池中的电流匹配，提高电池的的抗辐照性能，同时使少数光生载流子收集效率提升，减少光生载流子的辐射复合，从而提高了空间GaInPInGaAsGe电池外延片的光电转化效率，使电池性能进一步提升。

本发明授权一种超晶格空间GaInP/InGaAs/Ge电池外延片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种超晶格空间GaInPInGaAsGe电池外延片的制造方法，其特征在于：在中电池和顶电池分别引入GaAsPGaInAs和GaInPAlGaInP超晶格层，具体步骤如下： 运用金属有机化合物化学气相沉淀设备MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD，在p-Ge衬底上依次沉积n-AlGaInP成核层，n-GaAs-GaInAs缓冲层，n++-GaAsp++-GaAs隧穿结层，p-AlGaAsp-AlGaInAsDBR反射层，p-AlGaAs背场层，p-GaInAs基区层，GaAsPGaInAs超晶格层，n-GaInAs发射区层，n-AlInP窗口层，n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿结层，p-AlGaInP背场层，p-GaInP基区层，GaInPAlGaInP超晶格层，n-GaInP发射区层，n-AlInP窗口层和n+-GaAs欧姆接触层； 衬底材料为p型Ge衬底，掺杂Ga源、掺杂浓度为0.2E18～3E18cm-3，厚度为130～150μm，9°切角； n-AlGaInP成核层沉积厚度为0.01μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为1～2×1018cm-3； n-GaAs-GaInAs缓冲层沉积厚度为0.5μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为≥1×1018cm-3； n++-GaAsp++-GaAs隧穿结层，其中n++-GaAs层沉积厚度为0.01-0.03μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为≥5×1018cm-3，p++-GaAs层沉积厚度为0.01-0.03μm，掺杂CCl4源、掺杂浓度为≥1×1019cm-3； p-AlGaAsp-AlGaInAs反射层沉积厚度为1.8μm，掺杂DEZn源、掺杂浓度为5×1017cm-3； p-AlGaAs背场层沉积厚度为0.1μm，掺杂DEZn源、掺杂浓度为1～2×1018cm-3； p-GaInAs基区层沉积总厚度为0.3μm，分三层，每层0.1μm，三层间插入两组超晶格结构，掺杂DEZn源、掺杂浓度都为2～8×1016cm-3； 超晶格材料为GaAsPGaInAs，阱层厚度逐渐减薄； n-GaInAs发射区层沉积厚度为0.1μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为1×1018cm-3； n-AlInP窗口层沉积厚度为0.1μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为1×1018cm-3； n++-GaInPp++-AlGaAs隧穿结层，其中n++-GaInP层沉积厚度为0.01-0.03μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为≥5×1018cm-3，p++-AlGaAs层沉积厚度为0.01-0.03μm，掺杂CCl4源、掺杂浓度为≥5×1019cm-3； p-AlGaInP背场层沉积厚度为0.1μm，掺杂DEZn源、掺杂浓度为1～2×1018cm-3； p-GaInP基区层沉积厚度为0.2μm，分两层，每层0.1μm，两层间插入超晶格结构，掺杂DEZn源、掺杂浓度为1～8×1016cm-3； 超晶格材料为GaInPAlGaInP，阱层厚度逐渐减薄； n-GaInP发射区层沉积厚度为0.1μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为1×1018cm-3； n-AlInP窗口层沉积厚度为0.1μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度为1×1018cm-3； n+-GaAs欧姆接触层沉积厚度为0.5μm，掺杂SiH4源、掺杂浓度大于5×1018cm-3； 在GaAsPGaInAs超晶格中，阱层材料为Ga0.94In0.06As，垒层的材料为GaAs0.5P0.5；GaInAs层沉积厚度分别为0.12μm、0.105μm、0.09μm、0.075μm、0.06μm、0.045μm、0.03μm； 在GaInPAlGaInP超晶格中，阱层材料为Ga0.45In0.55P，垒层材料为Al0.1Ga0.90.5In0.5P；GaInP层沉积厚度分别为0.12μm、0.105μm、0.09μm、0.075μm、0.06μm、0.045μm、0.03μm。

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