恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体封装体以及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811445744.9，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种半导体封装体以及制作方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体封装体以及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体封装体以及制作方法。该半导体封装体包括：重布线层，包括第一面以及与第一面相对的第二面；多个第一连接件，连接于重布线层的第一面；多颗芯片，均设置在第一连接件背离重布线层的一侧并且均连接于第一连接件；多个中介件，均连接在重布线层的第二面，相邻两个中介件之间形成凹槽，凹槽靠近重布线层的一侧面与重布线层的第二面直接接触；以及多个第二连接件，连接于中介件背离重布线层的一侧，其中，芯片通过第一连接件、重布线层、中介件电连接到第二连接件。设置凹槽能有效地避免了半导体封装体在制作过程中由于中介衬底翘曲而发生裂片，提升了半导体封装体的良品率。
本发明授权一种半导体封装体以及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装体，其特征在于，包括： 重布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面； 多个第一连接件，连接于所述重布线层的第一面； 多颗芯片，均设置在所述第一连接件背离所述重布线层的一侧并且均连接于所述第一连接件； 多个中介件，均连接在所述重布线层的第二面，相邻两个所述中介件之间形成凹槽，所述凹槽靠近所述重布线层的一侧面与所述重布线层的第二面直接接触，相邻两颗所述芯片相互分开以在相邻两颗所述芯片之间形成缝隙，所述缝隙与位于所述重布线层另一侧的一条所述凹槽相对齐；以及 多个第二连接件，连接于所述中介件背离所述重布线层的一侧， 其中，所述芯片通过所述第一连接件、所述重布线层、所述中介件电连接到所述第二连接件。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号