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龙图腾网恭喜三垦电气株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112956004B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880098998.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置是由藤田直人设计研发完成，并于2018-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：半导体装置具备：第二导电型的埋设区20，其被埋入于第一导电型的半导体衬底10的上表面的一部分；第二导电型的第一半导体区30，其覆盖埋设区20而配置于半导体衬底10的上方，并且杂质浓度比埋设区20低；第一导电型的连接区40，其在配置有第一半导体区30的区域的剩余区域处被埋入于半导体衬底10的上表面的一部分，并且侧面与作为第一半导体区30的下部的一部分的延伸区31连接；以及第一导电型的第二半导体区50，其配置于连接区40的上表面，并且侧面与第一半导体区30连接。第一半导体区30的延伸区31在第二半导体区50的端部的下方延伸而与连接区40的侧面相接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，其具备： 第一导电型的半导体衬底； 第二导电型的埋设区，其被埋入于所述半导体衬底的上表面的一部分； 第二导电型的第一半导体区，其覆盖所述埋设区而选择性地配置于所述半导体衬底的上方，并且杂质浓度比所述埋设区低； 第一导电型的连接区，其在配置有所述第一半导体区的区域的剩余区域处被埋入于所述半导体衬底的上表面的一部分，并且侧面与延伸区连接，该延伸区是所述第一半导体区的下部的一部分； 第一导电型的第二半导体区，其配置于所述连接区的上表面，并且侧面与所述第一半导体区连接； 第二导电型的漏区，其配置于所述第一半导体区的上表面的一部分； 第二导电型的源区，其配置于所述第二半导体区的上表面的一部分；以及 栅极，其在所述漏区与所述源区之间配置于所述第二半导体区的上方， 所述第二半导体区的端部比所述连接区的端部更靠近所述埋设区侧突出，所述第二半导体区的突出的所述端部与所述连接区的侧面相接，所述第一半导体区的所述延伸区在所述第二半导体区的所述端部的下方延伸而与所述连接区的侧面相接，并且在延伸的所述第一半导体区的下方仅存在所述半导体衬底， 所述埋设区的膜厚为所述连接区的膜厚以上。

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