恭喜西湖仪器(杭州)技术有限公司朱佳凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜西湖仪器(杭州)技术有限公司申请的专利一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510535994.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法是由朱佳凯;刘峰江;刘东立;俞小英设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法，其包括以下步骤，S1提供一个碳化硅工件，基于预设的电阻率检测扫描路径，获取工件表面层上不同检测区域的电阻率ρk，进而初步筛选出电阻率异常区域；S2基于预设的拉曼检测扫描路径，获取工件表面层上的边缘区域、以及S1得到的电阻率异常区域的不同检测点的拉曼特征峰频率ωij、检测图像、以及垂直于工件高度方向的XY平面上的XY坐标位置；S3基于预设的掺杂浓度n与电阻率ρ的n‑ρ反比例函数模型、以及拉曼频移Δω与掺杂浓度n的Δω‑n线性模型，确定并关联S2的XY坐标位置、以及对应的电阻率ρij，构建工件表面层的电阻率分布图。本发明具有检测误差小、检测时间短的优点。
本发明授权一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于拉曼结合电阻率检测的SiC晶锭小面检测方法，其特征在于：包括以下步骤， S1提供一个碳化硅工件，基于预设的电阻率检测扫描路径，获取所述工件表面层上不同检测区域的电阻率ρk，进而初步筛选出电阻率异常区域； S2基于预设的拉曼检测扫描路径，获取所述工件表面层上的边缘区域、以及S1得到的电阻率异常区域的不同检测点的拉曼特征峰频率ωij、检测图像、以及垂直于所述工件高度方向的XY平面上的XY坐标位置（Xi，Yj）； S3基于预设的掺杂浓度n与电阻率ρ的n-ρ反比例函数模型、以及拉曼频移Δω与掺杂浓度n的Δω-n线性模型，确定并关联所述S2的XY坐标位置、以及对应的电阻率ρij，构建所述工件表面层的电阻率分布图。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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