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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510474838.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由王宽;郭飞;成志杰;吴阳阳;陈伟;袁俊设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，上述器件中的N型外延层外延设于衬底上；P‑well区离子注入设于N型外延层的上部区域，多个N+区沿第一方向间隔布设于P‑well区上部区域；多个P+掩蔽区沿第一方向间隔设置、且分别位于N+区的两侧；任一P+掩蔽区自P‑well区的上边缘沿与第一方向垂直的第二方向延伸至N型外延层的中部区域，形成深掩蔽结构；TBI区连接于相邻两个P+掩蔽区、且通过离子注入设于N型外延层中；栅极穿设N+区和P‑well区至N型外延层中。该结构中的P+掩蔽区，能够保护栅氧槽角位置，防止其因电场集中而提前击穿；TBI区域在P+掩蔽区域的中间形成电阻调制，减轻在缩小元胞尺寸时P+掩蔽区域形成的JFET电阻增大的问题。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、N型外延层、P-well区、N+区、P+掩蔽区、TBI区、栅极、源极及漏极； 所述N型外延层外延设于所述衬底上； 所述P-well区离子注入设于所述N型外延层的上部区域，多个所述N+区沿第一方向间隔布设于所述P-well区上部区域； 多个所述P+掩蔽区沿所述第一方向间隔设置、且分别位于所述N+区的两侧；任一所述P+掩蔽区自所述P-well区的上边缘沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸至所述N型外延层的中部区域，形成深掩蔽结构； 所述TBI区连接于相邻两个所述P+掩蔽区、且通过离子注入设于所述N型外延层中；所述栅极穿设所述N+区和所述P-well区至所述N型外延层中； 所述源极设于所述N+区和所述P+掩蔽区的顶部；所述漏极设于所述衬底的底部； 所述TBI区包括多个沿所述第二方向依次叠加布设的TBI层； 在任一所述TBI层的两端分别与两个相邻的所述P+掩蔽区接触的情况下，多个所述TBI层的宽度由表面至所述衬底的方向依次增大、横截面呈梯形，或，多个所述TBI层的宽度由表面至所述衬底的方向依次减小、横截面呈倒梯形； 在任一所述TBI层的长度小于两个相邻的所述P+掩蔽区的间隔宽度的情况下，多个所述TBI层的宽度由表面至所述衬底的方向依次增大、横截面呈梯形； 所述TBI层的离子注入为部分N型注入，部分P型注入。

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