致真存储(北京)科技有限公司卢世阳获国家专利权
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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210700317.0，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法是由卢世阳;商显涛;孙慧岩;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：重金属层以及设置在所述重金属层之上的复合式磁隧道结，其中，复合式磁隧道结包括：复合式自由层，非磁性势垒层，固定层，复合式自由层以及固定层分别设置在所述非磁性势垒层两侧，复合式自由层包括自由层以及诱导层，诱导层设置在自由层以及隧穿电阻层之间，响应于第一信号，诱导层以及自由层发生翻转，并且两者翻转动作一致，以实现复合式自由层翻转，诱导层用于减小自由层退磁能以降低临界电流。可见，通过在磁隧道结中设置诱导层，使之产生垂直各向异性能，以减小自由层有效退磁能，进而降低翻转电流大小，从而降低器件运行过程中的损耗。
本发明授权一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道矩磁存储器，其特征在于，所述自旋轨道矩磁存储器包括： 重金属层以及设置在所述重金属层之上的复合式磁隧道结， 其中，所述复合式磁隧道结包括：复合式自由层，非磁性势垒层，固定层，所述复合式自由层以及所述固定层分别设置在所述非磁性势垒层两侧， 所述复合式自由层包括自由层以及诱导层，所述诱导层设置在所述自由层以及所述非磁性势垒层之间，响应于第一信号，所述第一信号为电信号或磁信号，所述诱导层以及所述自由层发生翻转，并且两者翻转动作一致，以实现所述复合式自由层翻转，所述诱导层用于减小自由层退磁能以降低临界电流。
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