上海华力集成电路制造有限公司王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210656838.0，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种存储器及其制备方法是由王鹏;顾珍;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；源线层，位于所述沟槽内并向上延伸；金属浮栅结构，位于所述沟槽内，包括由内到外依次覆盖所述源线层的侧壁的金属浮栅层及阻挡层；字线层，位于所述衬底上并覆盖所述阻挡层远离所述源线层的一侧。所述阻挡层可以阻挡游离的金属离子向其他扩散，进而提高所述金属浮栅层的连续性，防止所述金属浮栅层在高温环境中发生断裂，增强所述存储器的稳定性。
本发明授权一种存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有沟槽； 源线层，位于所述沟槽内并向上延伸； 金属浮栅结构，位于所述沟槽内，包括由内到外依次覆盖所述源线层的侧壁的金属浮栅层及阻挡层，所述阻挡层的材料为氧化铪或碳化钛，所述金属浮栅层的材料为氮化钛； 字线层，位于所述衬底上并覆盖所述阻挡层远离所述源线层的一侧； 所述字线层与所述阻挡层之间还具有侧墙，所述侧墙覆盖所述字线层靠近所述源线层的一侧。
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