天津山河光电科技有限公司孙磊获国家专利权
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龙图腾网获悉天津山河光电科技有限公司申请的专利一种超表面光学元件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114873556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210530855.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种超表面光学元件的制作方法是由孙磊;秦飞;李向平设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超表面光学元件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种超表面光学元件的制作方法，包括：在衬底的端面之上镀纳米材料，使得纳米材料覆盖衬底的完整端面；刻蚀部分纳米材料至衬底的端面，保留另一部分纳米材料，得到分立纳米柱结构；在分立纳米柱结构的间隙填充保护材料；刻蚀分立纳米柱结构间隙的保护材料，使得每个间隙的保护材料的高度均匀并小于分立纳米柱结构的高度，得到超表面光学元件。本申请通过在分立纳米柱结构的间隙镀保护材料，增强纳米柱结构的机械稳定性；控制保护材料的高度小于纳米柱的高度，保证上半部分裸露纳米柱结构和周围环境相对折射率差；在纳米柱顶部键合玻璃晶圆来保护纳米柱不受到外界的损坏；用支撑材料支撑玻璃晶圆防止其与纳米柱接触进行磨损。
本发明授权一种超表面光学元件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超表面光学元件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底的端面之上镀纳米材料，使得所述纳米材料覆盖所述衬底的完整端面； 刻蚀部分所述纳米材料至所述衬底的端面，保留另一部分所述纳米材料，得到分立纳米柱结构； 在所述分立纳米柱结构的间隙填充保护材料； 刻蚀所述分立纳米柱结构间隙的保护材料，使得所述分立纳米柱结构间隙的保护材料的高度均匀并小于所述分立纳米柱结构的高度，得到所述超表面光学元件； 在衬底的端面之上镀纳米材料之后，所述方法还包括： 在所述纳米材料的端面之上镀支撑材料，使得所述支撑材料覆盖所述纳米材料的完整端面； 刻蚀部分所述支撑材料至所述纳米材料端面，保留另一部分所述支撑材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津山河光电科技有限公司，其通讯地址为：300450 天津市滨海新区经济技术开发区滨海-中关村科技园华塘睿城一区3号楼二层B区015号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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