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龙图腾网获悉广西师范大学申请的专利基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114923962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210526740.3，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法是由李全福;孙曼莉;陈武良;徐敏华;彭慧玲设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气体传感器技术领域，具体涉及一种基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法。五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器，利用五氧化二磷作为反应源进行磷掺杂的石墨烯，其表面因掺杂而引入大量吸附位点，有助于捕捉更多的气体分子。因此，基于磷原子掺杂石墨烯气体传感器响应速率快、易达到饱和、解吸附快、重复性好、可常温工作。此外，基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器的制备方法中提出的掺杂方法可控性高，CVD系统可以用精确控制掺杂温度、掺杂时间、气体流速和比例，从而控制掺入石墨烯的磷元素的含量。此外，CVD内部空间充足，操作简单，工艺可控，反应稳定，适合工业化中大规模生产。

本发明授权基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 对基底表面进行光刻，得到电极图形； 用金属薄膜沉积技术在所述基底表面沉积一层金属电极，lift-off后得到图案化金属基底结构； 采用湿法刻蚀将铜基石墨烯转移到所述金属基底结构的表面，得到石墨烯金属基底结构； 对所述石墨烯金属基底结构进行光刻，利用氧等离子体去除多余石墨烯，得到图案化石墨烯金属基底结构； 设置CVD参数，以五氧化二磷作为磷单质来源对所述图案化石墨烯金属基底结构进行掺杂； 所述设置CVD参数，以五氧化二磷作为磷单质来源对所述图案化石墨烯金属基底结构进行掺杂，包括： 打开CVD管式炉的石英管； 用无水酒精将两个石英舟清洗干净； 将所述石墨烯金属基底结构放入所述石英舟中，然后一同放入石英管内； 在另一个所述石英舟中放入五氧化二磷1~3g，然后一同放入所述石英管内； 通过CVD真空泵使所述石英管内部呈真空状态，然后向所述石英管的内部通入氩气和氢气，并使氩气与氢气的比例在100：10至100：15之间； 将所述石英管升温至430℃~490℃之间，保持恒温20~30min； 待掺杂完成，打开所述CVD管式炉的顶盖，保持同比例的气体，降温至室温，打开石英管取出样品，磷掺杂完成。

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