爱思开海力士有限公司方丙燦获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210478981.5，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由方丙燦;朴镇泽;李晶允设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导电层；沟道插塞，所述沟道插塞至少部分地穿过单元区域上的所述层叠结构；以及多个支撑结构，所述多个支撑结构至少部分地穿过接触区域上的所述层叠结构。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 层叠结构，所述层叠结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导电层； 沟道插塞，所述沟道插塞至少部分地穿过单元区域上的所述层叠结构； 多个支撑结构，所述多个支撑结构至少部分地穿过接触区域上的所述层叠结构，所述多个支撑结构包括线型的第一支撑结构和孔型的第二支撑结构；以及 辅助支撑结构，所述辅助支撑结构形成在所述接触区域上的所述层叠结构、所述第一支撑结构和所述第二支撑结构上， 其中，所述辅助支撑结构包括多个开口区域， 其中，所述多个开口区域在第一方向上彼此间隔开，并且 其中，所述第一支撑结构至少与在所述第一方向上彼此间隔开的两个开口区域交叠。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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