长江先进存储产业创新中心有限责任公司张恒获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利三维存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114793471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280001144.1，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权三维存储装置及其制造方法是由张恒;刘峻;雷威锋设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：在某些方面，一种存储装置包括多个底部相变存储器PCM单元、在所述多个底部PCM单元上的多个顶部PCM单元、在平面图中至少部分地包围所述多个底部PCM单元的多个底部虚设单元、多个底部虚设单元上的多个顶部虚设单元、在相邻底部PCM单元之间的第一间隙填充层、在平面图中至少部分地包围所述多个底部PCM单元的第二间隙填充层、在相邻顶部PCM单元之间的第三间隙填充层、以及在平面图中至少部分地包围多个顶部PCM单元的第四间隙填充层。
本发明授权三维存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括： 多个底部相变存储器（PCM）单元； 在所述多个底部PCM单元上的多个顶部PCM单元； 在平面图中至少部分地包围所述多个底部PCM单元的多个底部虚设单元； 在所述多个底部虚设单元上的多个顶部虚设单元； 在相邻的底部PCM单元之间的第一间隙填充层； 在所述平面图中至少部分地包围所述多个底部PCM单元的第二间隙填充层； 在相邻的顶部PCM单元之间的第三间隙填充层；以及 在所述平面图中至少部分地包围所述多个顶部PCM单元的第四间隙填充层， 其中，所述多个底部虚设单元位于相邻的存储块之间，并且所述第四间隙填充层不延伸到所述多个顶部虚设单元的区域中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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