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龙图腾网恭喜富芯微电子有限公司申请的专利一种优化的TVS结构器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478416.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种优化的TVS结构器件是由倪侠;邹有彪;张荣;王全;霍传猛;肖海林设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种优化的TVS结构器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种优化的TVS结构器件，N型半导体衬底的P基区形成三次叠加扩散的基区，P基区的P1基区与N型半导体衬底形成目标电压，P基区的P2基区和P3基区在P1基区上两层扩散形成电压调制区，通过在N型半导体衬底上设置三次叠加扩散的P基区，使P1基区与N型半导体衬底形成目标电压后，通过两次高浓度的杂质掺杂，即P2基区和P3基区两层扩散，使P基区总体具有更高的杂质浓度梯度，当PN结发生雪崩击穿时，P2基区和P3基区的区域内高浓度载流子会快速漂移至PN结的空间电荷区，并参与雪崩效应，提高PN结雪崩击穿面积的扩展速度，有效使PN结在更短的时间内进入完全雪崩击穿状态，从而更快速地泄放浪涌能量。

本发明授权一种优化的TVS结构器件在权利要求书中公布了：1.一种优化的TVS结构器件，包括N型半导体衬底1，其特征在于，所述N型半导体衬底1的P基区形成三次叠加扩散的基区，P基区的P1基区2与N型半导体衬底1形成目标电压，P基区的P2基区3和P3基区4在P1基区2上两层扩散形成电压调制区； 所述N型半导体衬底1的上、下表面设有金属层5； 所述N型半导体衬底1上且位于P基区的两侧设置有掩蔽层6； 该优化的TVS结构器件通过以下步骤制造： 步骤一：晶圆准备 选取MCZ硅单晶片，5寸晶向111，N型，电阻率0.03-0.04Ωcm，厚度220μm±10％； 步骤二：一次氧化 在炉温1100℃，氧气4Lmin，氢气5Lmin的工况下制作场氧掩蔽层，氧化层厚度1.5μm±10％； 步骤三：P1基区制备 在炉温1050℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源淀积，沉积时间40min，在炉温1260℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源推进，推进时间1500min，并使用四探针测试扩散方块电阻22Ω±10％，结深25μm±10％； 步骤四：P2基区制备 在炉温1080℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源淀积，沉积时间45min；在炉温1240℃，氧气2Lmin，氮气4Lmin的工况下进行硼源推进，推进时间520min，并使用四探针测试扩散方块电阻12Ω±10％，结深17μm±10％； 步骤五：P3基区制备 在炉温1130℃，氧气2Lmin，氮气3Lmin的工况下进行硼源淀积，沉积时间70min；在炉温1250℃，氧气2Lmin，氮气4Lmin的工况下进行硼源推进，推进时间300min，并使用四探针测试扩散方块电阻5.5Ω±10％，结深11μm±10％； 步骤六：金属化层 通过电子束金属化蒸发台工艺沉积金属化层。

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