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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602235B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110773222.7，技术领域涉及：G11C17/16；该发明授权反熔丝存储电路是由季汝敏设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝存储电路在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种反熔丝存储电路，包括：存储阵列，包括多个反熔丝存储单元；位线，连接在位线的延伸方向上排列的反熔丝存储单元，反熔丝存储单元通过第一开关管电连接位线；字线，连接在字线的延伸方向上排列的第一开关管；第二开关管，用于使位线连接传输导线；读取模块，第一输入端连接传输导线，第二输入端用于接收参考电压，采样输入端用于接收采样信号；信号产生模块，用于根据预充电电压、预充电信号生成采样信号，其中，预充电信号用于指示对传输导线预充电至预充电电压，采样信号与预充电信号之间的延时长短与预充电电压的电压大小呈正相关，以保证预充电电压较大时，反熔丝存储单元有足够的时间泄放电流，保证读出数据的准确性。

本发明授权反熔丝存储电路在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储电路，其特征在于，包括： 存储阵列，包括多个反熔丝存储单元，所述反熔丝存储单元通过栅极氧化层是否被击穿来表征存储的1bit数据； 位线，连接在所述位线的延伸方向上排列的所述反熔丝存储单元，所述反熔丝存储单元通过第一开关管电连接所述位线； 字线，连接在所述字线的延伸方向上排列的所述第一开关管，用于根据行选通信号导通被选中的所述第一开关管，其中，所述位线的延伸方向和所述位线的延伸方向相互垂直； 第二开关管，用于使所述位线连接传输导线； 读取模块，包括第一输入端、第二输入端、采样输入端，所述第一输入端连接所述传输导线，所述第二输入端用于接收参考电压，所述采样输入端用于接收采样信号； 信号产生模块，用于根据预充电电压、预充电信号生成所述采样信号，其中，所述预充电信号用于指示对所述传输导线预充电至所述预充电电压，所述采样信号与所述预充电信号之间的延时长短与所述预充电电压的电压大小呈正相关； 当所述采样信号为有效脉冲，所述读取模块比较所述第一输入端的输入电压和所述参考电压，以输出所述反熔丝存储单元存储的1bit数据。

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