爱思开海力士有限公司李建泳获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110300410.8，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由李建泳;金昶汉;尹盛铉设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其具有彼此交替层叠的导电层和绝缘层；沟道层，其穿过层叠结构；铁电层，其围绕沟道层的侧壁；第一电介质层，其围绕铁电层的侧壁；以及牺牲图案，其插置于第一电介质层和绝缘层之间并且包括比第一电介质层具有更高介电常数的材料。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 层叠结构，所述层叠结构具有彼此交替层叠的多个导电层和多个绝缘层； 沟道层，所述沟道层穿过所述层叠结构； 铁电层，所述铁电层围绕所述沟道层的侧壁； 第一电介质层，所述第一电介质层围绕所述铁电层的侧壁；以及 牺牲图案，所述牺牲图案插置于所述第一电介质层和所述绝缘层之间，所述牺牲图案包括比所述第一电介质层具有更高介电常数的材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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