力晶积成电子制造股份有限公司郭舒绮获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利存储器元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864675B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110266366.3，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权存储器元件及其制造方法是由郭舒绮;廖宏魁;刘振强设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器元件及其制造方法。存储器元件包括浮置栅极、栅间介电层、栅极耦合层与控制栅极。浮置栅极设置于基底上且具有梳状部。所述梳状部具有彼此侧向间隔开的多个条状图案。栅间介电层覆盖浮置栅极的梳状部的上表面。栅极耦合层覆盖栅间介电层。控制栅极包括立于栅极耦合层上的导电插塞，且电连接于栅极耦合层。控制栅极在垂直方向上与水平方向上电容耦合于浮置栅极的梳状部。
本发明授权存储器元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，其特征在于，包括： 浮置栅极，设置于基底上且具有梳状部，其中所述梳状部具有彼此侧向间隔开的多个条状图案； 栅间介电层，覆盖所述浮置栅极的所述梳状部的上表面； 栅极耦合层，覆盖所述栅间介电层；以及 控制栅极，包括立于所述栅极耦合层上的导电插塞，且电连接于所述栅极耦合层，其中所述栅极耦合层用以增加控制栅极与浮置栅极之间的耦合面积，所述控制栅极在垂直方向上与水平方向上电容耦合于所述浮置栅极的所述梳状部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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