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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114122032B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110161527.2，技术领域涉及：H10F39/15；该发明授权制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构是由梁晋玮;陈昇照;匡训冲;李昇展设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。

本发明授权制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 接收包括像素区和接合焊盘区的器件衬底； 在所述器件衬底的正面中在所述像素区中形成辐射传感器； 在所述器件衬底的所述正面上形成互连结构，所述互连结构耦合到所述辐射传感器； 将凹槽蚀刻到所述器件衬底的背面中，以去除所述器件衬底的所述接合焊盘区，直到暴露所述互连结构的部分为止，其中，所述凹槽具有凹槽深度，并且所述凹槽的边缘由所述器件衬底的侧壁限定； 在所述凹槽中形成导电接合焊盘，所述导电接合焊盘耦合到所述互连结构中的导电部件； 形成第一多个层，所述第一多个层覆盖所述导电接合焊盘，对应于所述凹槽的所述边缘而沿着所述器件衬底的所述侧壁延伸，并覆盖所述器件衬底的所述背面，其中，所述第一多个层中的每个是共形的，并且其中，所述第一多个层共同具有小于所述凹槽深度的第一总厚度； 执行第一化学机械平坦化以从所述像素区去除所述第一多个层的部分，以使得所述第一多个层的剩余部分覆盖所述导电接合焊盘； 在所述第一化学机械平坦化之后，在所述第一多个层的所述剩余部分上方形成第二多个层，所述第二多个层覆盖所述导电接合焊盘并覆盖所述像素区；以及 执行第二化学机械平坦化以平坦化所述第二多个层，从而在所述接合焊盘区和所述像素区上方提供平坦化表面。

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