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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110145563.X，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权半导体封装件是由崔智旻;韩正勋;李瑌真;李钟旼;张志熏设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装件在说明书摘要公布了：半导体封装件可以包括：半导体芯片，位于基板上；和底部填充层，位于半导体芯片与基板之间。所述半导体芯片可以包括：半导体基板，包括第一区域和第二区域；以及层间介电层，可以覆盖半导体基板并且可以在其中包括连接线。第一导电焊盘可以位于第一区域上，并且可以电连接到所述连接线中的一些连接线。第二导电焊盘可以位于第二区域上，并且可以与所有连接线电隔离。所述半导体芯片还可以包括钝化层，钝化层可以覆盖层间介电层并且可以包括可以分别暴露第一导电焊盘和第二导电焊盘的第一孔。在第二区域上，底部填充层可以包括可以位于第一孔中的一个第一孔中并且与第二导电焊盘中的一个第二导电焊盘接触的部分。

本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括： 半导体芯片，所述半导体芯片位于封装基板上；和 底部填充层，所述底部填充层位于所述半导体芯片与所述封装基板之间， 其中，所述半导体芯片包括： 半导体基板； 层间介电层，所述层间介电层位于所述半导体基板上并且在其中包括多条连接线； 多个导电焊盘，所述多个导电焊盘位于所述层间介电层上，所述多个导电焊盘中的多个第一导电焊盘分别电连接到所述多条连接线中的多条第一连接线，并且所述多个导电焊盘中的多个第二导电焊盘与所述多条连接线电隔离； 钝化层，所述钝化层位于所述层间介电层上，并且包括多个第一孔，所述多个第一孔分别位于所述多个导电焊盘中的所述多个第一导电焊盘和所述多个导电焊盘中的所述多个第二导电焊盘上；和 多个第一导电凸块，所述多个第一导电凸块分别接合到所述多个导电焊盘中的所述多个第一导电焊盘， 其中，所述底部填充层包括第一部分，并且所述第一部分位于所述多个第一孔中的一个第一孔中，并且与所述多个导电焊盘中的所述多个第二导电焊盘中的一个第二导电焊盘接触。

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