恭喜昭和电工材料株式会社彼谷美千子获国家专利权
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龙图腾网恭喜昭和电工材料株式会社申请的专利切割晶粒接合一体型膜及其品质管理方法以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980103116.9，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权切割晶粒接合一体型膜及其品质管理方法以及半导体装置的制造方法是由彼谷美千子;谷口纮平设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本切割晶粒接合一体型膜及其品质管理方法以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种切割晶粒接合一体型膜的品质管理方法。该品质管理方法包括：第1工序，准备具备基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜，该基材层具有第1表面及与第1表面相反的一侧的第2表面，该压敏胶黏剂层设置于基材层的第2表面上且由光固化性压敏胶黏剂形成，该胶黏剂层设置于压敏胶黏剂层的与基材层相反的一侧；第2工序，对切割晶粒接合一体型膜的基材层的第1表面计算负载长度比tp；及第3工序，以负载长度比tp为指标，判定切割晶粒接合一体型膜的品质的良否。
本发明授权切割晶粒接合一体型膜及其品质管理方法以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种切割晶粒接合一体型膜的品质管理方法，其包括： 第1工序，准备具备基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的切割晶粒接合一体型膜，所述基材层具有第1表面及与所述第1表面相反的一侧的第2表面，所述压敏胶黏剂层设置于所述基材层的所述第2表面上且由光固化性压敏胶黏剂形成，所述胶黏剂层设置于所述压敏胶黏剂层的与所述基材层相反的一侧； 第2工序，对所述切割晶粒接合一体型膜的所述基材层的所述第1表面计算负载长度比tp；及 第3工序，以所述负载长度比tp为指标，判定切割晶粒接合一体型膜的品质的良否， 其中，所述负载长度比tp为切断水平50％时的负载长度比tp50％， 所述第3工序是根据是否满足所述负载长度比tp50％为15％以上来判定品质的良否的工序。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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