恭喜启东吉莱电子有限公司张鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜启东吉莱电子有限公司申请的专利一种双向ESD保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110649017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911000838.X，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种双向ESD保护器件是由张鹏;杨钰琳;宋文龙设计研发完成，并于2019-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双向ESD保护器件在说明书摘要公布了：一种双向ESD保护器件，由N+衬底层101、P型外延层102和N+掺杂层103组成的芯片；所述N+衬底层101上方设P型外延层102，P型外延层102上方设N+掺杂层103；深隔离槽104位于芯片左右两侧，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽104内设有掺杂的多晶浮岛108，隔离介质层105介于深隔离槽104与正面电极106之间，正面电极106位于N+掺杂层103和隔离介质层105上方，背面电极107形成于N+衬底层101之下。本发明针对普通电容、大电流泄放能力应用的ESD保护，采用槽栅隔离的纵向三极管结构，解决了集成电路静电释放问题。
本发明授权一种双向ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.一种双向ESD保护器件，其特征在于：由N+衬底层、P型外延层和N+掺杂层组成的芯片；所述N+衬底层上方设P型外延层，P型外延层上方设N+掺杂层；深隔离槽位于芯片四周，其中靠近芯片中心区域的深隔离槽内设有掺杂的多晶浮岛，隔离介质层介于深隔离槽与正面电极之间，正面电极位于N+掺杂层和隔离介质层上方，背面电极形成于N+衬底层之下；所述多晶浮岛为多个，多晶浮岛沿深隔离槽纵向排列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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