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龙图腾网恭喜硅存储技术股份有限公司申请的专利具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980079700.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法是由S·乔尔巴;C·德科贝尔特;周锋;金珍浩;X·刘;N·多设计研发完成，并于2019-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有多个向上延伸的鳍。第一鳍和第二鳍在一个方向上延伸，并且第三鳍在正交方向上延伸。间隔开的源极区和漏极区形成在该第一鳍和该第二鳍中的每者中，从而在该第一鳍和该第二鳍中的每者中限定在其间延伸的沟道区。该源极区设置在该第三鳍与该第一鳍和该第二鳍之间的相交部处。浮动栅极侧向设置在该第一鳍和该第二鳍之间，并且侧向设置成与该第三鳍相邻，并且沿着该沟道区的第一部分延伸。字线栅极沿着该沟道区的第二部分延伸。控制栅极设置在该浮动栅极上方。擦除栅极设置在该源极区和该浮动栅极上方。

本发明授权具有扩展的源极线FINFET的基于FINFET的分裂栅极非易失性闪存存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，所述存储器设备包括： 半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面，所述上表面具有多个向上延伸的鳍，其中所述鳍中的每个鳍包括彼此相对并且终止于顶表面的第一侧表面和第二侧表面； 所述多个鳍中的第一鳍具有在第一方向上延伸的长度； 所述多个鳍中的第二鳍具有在所述第一方向上延伸的长度； 所述多个鳍中的第三鳍具有在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的长度； 存储器单元，所述存储器单元包括： 第一源极区和第一漏极区，所述第一源极区和所述第一漏极区在所述第一鳍中间隔开，其中所述第一鳍的第一沟道区沿着所述第一鳍的所述顶表面和所述相对的侧表面在所述第一源极区和所述第一漏极区之间延伸，其中所述第一源极区设置在所述第一鳍和所述第三鳍的相交部处， 第二源极区和第二漏极区，所述第二源极区和所述第二漏极区在所述第二鳍中间隔开，其中所述第二鳍的第二沟道区沿着所述第二鳍的所述顶表面和所述相对的侧表面在所述第二源极区和所述第二漏极区之间延伸，其中所述第二源极区设置在所述第二鳍和所述第三鳍的相交部处， 浮动栅极，所述浮动栅极侧向设置在所述第一鳍和所述第二鳍之间并与所述第一鳍和所述第二鳍绝缘，并且侧向设置成与所述第三鳍相邻并与所述第三鳍绝缘，其中所述浮动栅极沿着所述第一沟道区的第一部分和所述第二沟道区的第一部分延伸并与所述第一沟道区的第一部分和所述第二沟道区的第一部分绝缘， 字线栅极，所述字线栅极沿着所述第一沟道区的第二部分和所述第二沟道区的第二部分延伸并与所述第一沟道区的第二部分和所述第二沟道区的第二部分绝缘， 控制栅极，所述控制栅极设置在所述浮动栅极上方并且与所述浮动栅极绝缘，和 擦除栅极，所述擦除栅极包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第一源极区和所述第二源极区上方并且与所述第一源极区和所述第二源极区绝缘，所述第二部分设置在所述浮动栅极上方并且与所述浮动栅极绝缘。

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