恭喜剑桥实业有限公司;砧半导体有限公司大卫·约翰·沃利斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜剑桥实业有限公司;砧半导体有限公司申请的专利闪锌矿结构III族氮化物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310334031.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权闪锌矿结构III族氮化物是由大卫·约翰·沃利斯;马丁·弗伦特鲁普;门诺·约翰尼斯·卡珀斯;苏曼拉塔·莎欧塔设计研发完成，并于2018-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪锌矿结构III族氮化物在说明书摘要公布了：公开了一种制造包括001取向的闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构的方法，例如GaN。该层形成在硅衬底上的3C‑SiC层上。形成成核层，进行再结晶，然后通过MOVPE在750‑1000℃范围内的T3温度下形成厚度至少为0.5μm的闪锌矿结构Ⅲ族氮化物层。还公开了相应的包括闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构，当通过XRD表征时，该层的大部分或全部由闪锌矿结构III族氮化物形成，优先于纤锌矿结构III族氮化物。
本发明授权闪锌矿结构III族氮化物在权利要求书中公布了：1.一种制造包括（001）取向的闪锌矿结构III族氮化物层的半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 提供硅衬底； 在所述硅衬底上提供3C-SiC层； 使所述3C-SiC层在800-1100°C范围内的T1温度下进行氮化步骤； 在550-650°C范围内的T2温度下以0.1-1nms的速率生长闪锌矿结构III族氮化物成核层至10-100nm范围内的厚度； 在800-920°C范围内的T3温度下进行成核层再结晶步骤；和 通过MOVPE在800-920°C范围内的T3温度下沉积和生长闪锌矿结构III族氮化物层至厚度至少为0.3μm； 其中所述III族氮化物层是基于InxAlyGa1-x-yN的层，其中0≤x≤1，0≤y≤1。
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