湖北九峰山实验室李明哲获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氧化镓日盲紫外检测器及其制备方法、成像阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035235B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510507691.2，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权一种氧化镓日盲紫外检测器及其制备方法、成像阵列是由李明哲;袁俊;朱厉阳;徐少东;彭若诗;孟茹;熊伟;蒋玉斌设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓日盲紫外检测器及其制备方法、成像阵列在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓日盲紫外检测器及其制备方法、成像阵列，属于半导体器件技术领域。该氧化镓日盲紫外检测器由下至上包括衬底、栅电极、第一介质层、n‑Ga2O3层、第二介质层、第三介质层、第一半导体层，还包括源电极、漏电极、阳极、阴极和第二半导体层。栅电极被第一介质层覆盖。源电极和漏电极均位于n‑Ga2O3层背离第一介质层的一侧。阳极位于源电极背离n‑Ga2O3层的表面上。阴极与n‑Ga2O3层分别位于第一介质层背离衬底一侧的表面上两端的位置。阴极与第一半导体层直接接触。阳极与第二半导体层直接接触。第一半导体层与第二半导体层形成pn结。该氧化镓日盲紫外检测器具有耐压高、暗电流小和检测效率高的特点。
本发明授权一种氧化镓日盲紫外检测器及其制备方法、成像阵列在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓日盲紫外检测器，其特征在于，由下至上包括衬底、栅电极、第一介质层、n-Ga2O3层、第二介质层、第三介质层、第一半导体层，还包括源电极、漏电极、阳极、阴极和第二半导体层；所述栅电极被所述第一介质层覆盖；所述源电极和所述漏电极均位于所述n-Ga2O3层背离所述第一介质层的一侧的表面上；所述第二介质层包裹在所述n-Ga2O3层、所述源电极和所述漏电极的外部；所述阳极位于所述源电极背离所述n-Ga2O3层的表面上；所述阴极与所述n-Ga2O3层分别位于所述第一介质层背离所述衬底一侧的表面上两端的位置；位于所述阴极与所述n-Ga2O3层之间的所述第一介质层的上表面与所述第二介质层直接接触；所述阴极与所述第一半导体层直接接触；所述阳极的上表面与所述第二半导体层的下表面直接接触；所述第一半导体层与所述第二半导体层形成pn结。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号