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龙图腾网获悉有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料(山东)有限公司申请的专利一种集成电路用环状高纯铜磷阳极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119550003B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510090390.4，技术领域涉及：B23P15/00；该发明授权一种集成电路用环状高纯铜磷阳极及其制备方法是由滕海涛;王亚萍;王宇;万小勇;张东歌;蒋媛媛;张亦璇;史学伟;徐鹏设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成电路用环状高纯铜磷阳极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电镀设备技术领域，具体涉及一种集成电路用环状高纯铜磷阳极及其制备方法。本发明的制备方法首先通过熔炼制得铜磷铸锭，随后对铸锭进行均匀化热处理，后通过反向挤压变形得到管坯，再对管坯进行低温去应力退火处理，最后对管坯进行切割、机加工成型、清洗烘干包装得到环状高纯铜磷阳极。本发明的制备方法通过对铸锭进行均匀化处理、调整挤压温度与挤压比、以及低温退火处理，来控制晶粒尺寸和成分均匀程度，同时在铜磷合金管材上进行切割可一次性获得多个铜磷靶坯，本制备方法可保证晶粒分布均匀、避免P元素偏析且消除了材料的残余应力，防止后续加工坯料发生变形开裂，同时该方法可显著缩短工艺流程、提高生产效率、降低生产成本。

本发明授权一种集成电路用环状高纯铜磷阳极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路用环状高纯铜磷阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：通过熔炼获得铜磷熔体，将所述铜磷熔体在真空状态下进行静模浇注，得到圆柱形铸锭，静模浇注的浇注温度为1100-1200℃，浇注时间为4-5min； 步骤2：对所述圆柱形铸锭进行均匀化热处理，所述均匀化热处理温度为600-700℃，均匀化热处理过程中炉温波动不超过±5℃，时间为6-8h，得到均匀化铸锭； 步骤3：对所述均匀化铸锭进行反向挤压变形，所述挤压变形过程中物料温度为550-700℃，且低于均匀化热处理温度，挤压速度为6-8mms，挤压比为1.5-4.5，得到高纯铜磷管坯； 步骤4：对所述高纯铜磷管坯进行退火，所述退火温度为200-300℃，退火时间为1-2h； 步骤5：将步骤4退火后的高纯铜磷管坯进行切割，再采用高精密数控机床进行机加工成型，得到集成电路用环状高纯铜磷阳极，其中所述高精密数控机床的加工精度为±0.01mm。

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