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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115714134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211255562.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备是由张鹏浩;王路宇;徐敏;王强;潘茂林;樊蓉;杨妍楠;谢欣灵;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法，在不对p‑GaN进行栅槽刻蚀的情况下即可实现p沟道增强型氮化镓晶体管，避免了栅刻蚀方法导致的沟道迁移率降低以及刻蚀表面形成的高密度陷阱态对p沟道增强型器件产生的负面影响，从而有效提高了增强型p沟道氮化镓晶体管的性能。

本发明授权增强型p沟道氮化镓功率器件及其制备方法以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种增强型p沟道氮化镓功率器件的制备方法，其特征在于，该方法包括： S1：提供一衬底； S2：形成外延结构，所述外延结构包括沿背离所述衬底的方向依次形成于所述衬底上的层叠的第一AlN层、缓冲层、GaN层、第二AlN层、AlGaN层、p-GaN沟道层； S3：沉积硬质掩膜层，并通过光刻、刻蚀工艺对所述硬质掩膜层进行图形化刻蚀，使其仅覆盖所述p-GaN沟道层的第一区域； S4：外延p-GaN二次生长层，所述p-GaN二次生长层形成所述第一区域外的p-GaN沟道层上； S5：去除所述第一区域上的硬质掩膜层，形成栅极凹槽； S6：形成栅介质层，所述栅介质层沉积于所述栅极凹槽的内壁，并覆盖于所述p-GaN二次生长层上； S7：形成源极欧姆接触电极与漏极欧姆接触电极，所述源极欧姆接触电极与所述漏极欧姆接触电极贯穿所述栅介质层后与所述p-GaN二次生长层接触，且所述源极欧姆接触电极与所述漏极欧姆接触电极分别位于所述栅极凹槽的两侧； S8：形成栅极金属层，所述栅极金属层形成于所述栅极凹槽内且位于所述栅介质层上； S9：形成钝化层，所述钝化层覆盖所述栅极金属层、所述源极欧姆接触电极、所述漏极欧姆接触电极以及所述栅介质层； S10：形成金属互联层，所述金属互联层包括源极金属互联层、漏极金属互联层以及栅极金属互联层，所述源极金属互联层、漏极金属互联层以及栅极金属互联层贯穿所述钝化层后分别与所述源极欧姆接触电极、漏极欧姆接触电极以及栅极金属层电性连接。

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