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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579369B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211153498.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法是由刘坚;万景;蒋玉龙设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法，该动态视觉传感器像素包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，四个读出晶体管有源区，欧姆接触区域，五个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层，栅极，两个深槽隔离侧墙，一个浅槽隔离侧墙，栅极侧墙，栅极金属接触，源极金属接触，漏极金属接触，衬底金属接触。与现有技术相比，本发明基于单晶体管光电子原位探测器结构，在紧凑的像素架构内部可同时读出光强绝对信号和差分信号，实现了传统图像传感器光强数据和动态视觉传感器事件数据的融合，为PISD在下一代新型动态视觉传感器中的应用奠定了基础。

本发明授权对称式融合视觉传感器像素结构及其制备与信号控制方法在权利要求书中公布了：1.一种对称式融合视觉传感器像素结构，其特征在于，包括混合型衬底、以及分别位于混合型衬底左右两侧的左侧衬底和右侧衬底，其中， 所述混合型衬底上形成有浅槽隔离侧墙和衬底欧姆接触区域，并支撑起上方的第一氧化埋层与最上层的第一顶层区域，所述第一顶层区域包括四段像素有源区、位于两相邻像素有源区之间的第一顶层沟道区，三道第一顶层沟道区的上方还分别设有一个主体栅极与两个复位栅极，两个复位栅极分别位于主体栅极的两侧，所述主体栅极与复位栅极分别通过其下方的栅氧化层控制对应的第一顶层沟道区的通断，所述主体栅极与复位栅极的两侧均形成保护性侧墙，在混合型衬底的左右两侧形成深槽隔离侧墙， 所述的左侧衬底支撑起上方的第二氧化埋层和最上层的第二顶层区域，所述第二顶层区域包括两段第一读出晶体管有源区、以及位于两第一读出晶体管有源区之间的第二顶层沟道区，所述第二顶层沟道区上方设有第一读出晶体管栅极，该第一读出晶体管栅极也通过其下方的栅氧化层控制第二顶层沟道区的通断，所述第一读出晶体管栅极的两侧也均形成保护性侧墙， 所述的右侧衬底支撑起上方的第三氧化埋层和最上层的第三顶层区域，所述第三顶层区域包括两段第二读出晶体管有源区、以及位于两第二读出晶体管有源区之间的第三顶层沟道区，所述第三顶层沟道区上方设有第二读出晶体管栅极，该第二读出晶体管栅极也通过其下方的栅氧化层控制第三顶层沟道区的通断，所述第二读出晶体管栅极的两侧也均形成保护性侧墙， 主体栅极左侧的像素有源区、第一读出晶体管栅极右侧的第一读出晶体管有源区、第二读出晶体管栅极左侧的第二读出晶体管有源区上还分别设有源极金属接触电极，主体栅极右侧的像素有源区、分别靠近浅槽隔离侧墙和深槽隔离侧墙的像素有源区、最外侧的第一读出晶体管有源区和第二读数晶体管有源区上还分别设有漏极金属接触电极，所述衬底欧姆接触区域上设有衬底金属接触电极，所述主体栅极、复位栅极、第一读出晶体管栅极和第二读出晶体管栅极上则分别设有栅极金属接触电极。

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