上海新昇半导体科技有限公司沙酉鹤获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司申请的专利一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111941251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010659738.4，技术领域涉及：B24B29/02；该发明授权一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法是由沙酉鹤;谢越设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方。根据本发明的抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法可以在保持整片的抛光速率基本不变的情况下，只降低硅片边缘位置的抛光速率，从而改善硅片边缘厚度的平坦度，提升产品良率。
本发明授权一种抛光垫、抛光设备及硅片的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种抛光垫，用于对硅片进行抛光，其特征在于，所述抛光垫包括与硅片接触的抛光面，所述抛光面开设有至少一个凹槽，所述凹槽的开槽位置使得在对硅片进行抛光时，所述硅片的边缘至少部分悬空在所述凹槽的上方； 所述凹槽包括靠近所述抛光垫外围的第一环形槽与靠近所述抛光垫中心的第二环形槽，所述第一环形槽的内沿与所述第二环形槽的外沿之间的距离小于硅片的直径，所述第一环形槽的外沿与所述第二环形槽的内沿之间的距离大于硅片的直径； 所述第一环形槽的内沿与硅片的边缘之间的距离为2mm至4mm，所述第二环形槽的外沿与硅片的边缘之间的距离为2mm至4mm； 所述抛光垫还包括开设在所述抛光面的一个或多个排液槽，所述排液槽一端连通所述第二环形槽，贯穿第一环形槽，另一端连通所述抛光垫的边缘，以用于排出所述凹槽中的抛光液。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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