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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司申请的专利超低电压数字电路的本体偏置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910853131.7，技术领域涉及：H03K19/0944；该发明授权超低电压数字电路的本体偏置是由G·莱勒门特;F·阿布泽德设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低电压数字电路的本体偏置在说明书摘要公布了：数字电路包括由逻辑门形成的逻辑电路。每个逻辑门包括p沟道MOSFET和n沟道MOSFET。本体偏置发生器电路将n本体偏置电压施加到p沟道MOSFET的n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到n沟道MOSFET的p本体偏置节点。本体偏置发生器电路操作以：在第一模式下，将地电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将正电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压；以及在第二模式下，将正电源电压施加到逻辑门的n本体偏置节点作为n本体偏置电压并且将地电源电压施加到逻辑门的p本体偏置节点作为p本体偏置电压。

本发明授权超低电压数字电路的本体偏置在权利要求书中公布了：1.一种电子电路，包括： 数字电路，由具有正电源电压和地电源电压的功率域供电，其中所述数字电路包括由多个逻辑门形成的逻辑电路，其中所述多个逻辑门中的每个逻辑门包括至少一个p沟道MOSFET和至少一个n沟道MOSFET，所述至少一个p沟道MOSFET具有连接到n本体偏置节点的n本体，所述至少一个n沟道MOSFET具有连接到p本体偏置节点的p本体；以及 本体偏置发生器电路，被配置为将n本体偏置电压施加到所述多个逻辑门中的所述p沟道MOSFET的所述n本体偏置节点，并且将p本体偏置电压施加到所述多个逻辑门中的所述n沟道MOSFET的所述p本体偏置节点，其中所述本体偏置发生器电路操作以： 在第一模式下，将所述地电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述n本体偏置节点作为所述n本体偏置电压，并且将所述正电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述p本体偏置节点作为所述p本体偏置电压；以及 在第二模式下，将所述正电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述n本体偏置节点作为所述n本体偏置电压，并且将所述地电源电压施加到所述多个逻辑门中的所述p本体偏置节点作为所述p本体偏置电压。

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