杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种具有三层光罩的SiC VDMOSFET器件及基制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510474615.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有三层光罩的SiC VDMOSFET器件及基制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有三层光罩的SiC VDMOSFET器件及基制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有三层光罩的SiCVDMOSFET器件及基制备工艺，包括由若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、金属栅极、源极，所述半导体外延层包括N衬底层和N漂移层，其特征在于：所述金属栅极包括位于上层呈纵向排列的上置栅极和位于下层呈横向排列的下置栅极。本发明通过将金属栅极分为纵向排列的上置栅极和横向排列的下置栅极，并结合横向源区的P阱层、P+掺杂层、N阱层以及纵向源区的上P阱结构，优化了电场分布和载流子传输路径，该设计提高了器件的导通效率，降低了漏电流，同时通过N阱层的上下分区增强了耐压能力。
本发明授权一种具有三层光罩的SiC VDMOSFET器件及基制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种具有三层光罩的SiCVDMOSFET器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有漏极1、半导体外延层、金属栅极4、源极5，所述半导体外延层包括N衬底层2和N漂移层3，其特征在于：所述金属栅极4包括位于上层呈纵向排列的上置栅极41和位于下层呈横向排列的下置栅极42； 单个所述MOS元胞的横向源区内通过离子注入形成有P阱层6、P+掺杂层7和N阱层8； 单个所述MOS元胞的纵向源区内通过在N阱层8内部离子注入形成上P阱61；其中上P阱61将N阱层8划分为上N阱81和下N阱82。
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