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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种改善光效衰减的LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510472963.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种改善光效衰减的LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;宁如光;杨祺设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善光效衰减的LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光效衰减的LED外延片及其制备方法。该LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、DBR反射层、N型抗高温扩散层、N型限制层、第一逆向掺杂层、多量子阱发光层、第二逆向掺杂层、P型限制层、P型过渡层、P型窗口层。本发明通过在DBR反射层和N型限制层之间插入AlGaInP结构，并采用特殊的PH3渐变的生长方式，同时在靠近N型一侧和P型一侧设计逆向掺杂层结构，可有效抑制杂质在高温、大电流环境下导致的光效衰减问题，得到的LED抗光衰减性能、抗老化性能优异，发光亮度和可靠性高。

本发明授权一种改善光效衰减的LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光效衰减的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、DBR反射层、N型抗高温扩散层、N型限制层、第一逆向掺杂层、多量子阱发光层、第二逆向掺杂层、P型限制层、P型过渡层、P型窗口层； 所述N型抗高温扩散层的材料为Alx1Ga1-x10.5In0.5P，其中x1的取值范围为0.6～0.8，并采用Ⅴ族源材料PH3渐变方式生长，生长时，生长的初始PH3流量为800sccm，然后逐渐渐变至1300sccm，PH3流量的渐变的速率为2.0sccmm～2.5sccmm；所述N型抗高温扩散层的厚度为200nm～250nm，掺杂剂为SiH4，掺杂浓度为0.5×1018cm-3～1×1018cm-3； 所述第一逆向掺杂层的材料为Alx2Ga1-x20.5In0.5P，厚度为40nm～60nm，其中x2的取值范围是0.7～0.8，该层采用CCl4作为P型掺杂剂提供P型载流子，掺杂浓度为0.2×1017cm-3～0.5×1017cm-3； 所述第二逆向掺杂层的材料为Alx3Ga1-x30.5In0.5P，厚度为60nm～80nm，其中x3的取值范围是0.7～0.8，该层采用DETe作为N型掺杂剂提供N型载流子，掺杂浓度为0.5×1017cm-3～1.0×1017cm-3。

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