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同济大学程鑫彬获国家专利权

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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119984506B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510459386.0,技术领域涉及:G01J3/02;该发明授权一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法是由程鑫彬;王绪泉;冯诗淇;顿雄;王占山设计研发完成,并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法在说明书摘要公布了:本发明具体公开了一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法,涉及光谱成像技术领域。该误差抑制方法包括:S1、设计编码滤光片的内圈正方形单元结构,使其与探测器像元一一对应,并通过半导体工艺制备滤光片;S2、通过端到端深度学习框架联合优化滤光片结构参数与光谱重构模型,抑制配准误差;S3、采用模拟退火算法优化滤光片排列模式,最小化相邻滤光片光谱差异。本发明提出的一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法在保证系统紧凑集成的同时,显著降低了配准误差对光谱成像系统的影响,为片上计算光谱成像的高精度应用提供了一种全新的解决方案。

本发明授权一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法在权利要求书中公布了:1.一种软硬联合优化的片上光谱成像系统集成误差抑制方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤S1、设计编码滤光片的内圈正方形单元结构,使其与探测器像元一一对应,并通过半导体工艺制备滤光片,具体操作为: 步骤S11、选用SiO2作为衬底材料,并在其表面通过热蒸发沉积形成高度为hsi的硅膜; 步骤S12、使用聚甲基丙烯酸甲酯PMMA作为光刻胶并旋涂在硅膜上,利用电子束光刻技术刻制超表面滤光片图案; 步骤S13、以曝光后的光刻胶图案作为掩模,采用感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术ICP-RIE对暴露的硅膜进行刻蚀; 步骤S14、使用RemoverPG溶液去除残余光刻胶,获得预设硅膜高度为hsi的滤光片; 步骤S2、通过端到端深度学习框架联合优化编码滤光片结构参数与光谱重构模型,抑制配准误差; 步骤S3、采用模拟退火算法优化滤光片排列模式,最小化相邻滤光片光谱差异。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人同济大学,其通讯地址为:200092 上海市杨浦区四平路1239号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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