北京大学黎明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种浮栅注入型铁电晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510457971.7，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权一种浮栅注入型铁电晶体管及其制备方法是由黎明;陈逸凡;尚宗伟;王清;周希骏设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浮栅注入型铁电晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅注入型铁电晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件在铁电极化层和栅极之间具有金属浮栅层和顶层注入层结构，采用栅极注入的方式完成编程操作，电荷通过FN隧穿的方式注入并存储在金属浮栅中，铁电极化层在浮栅注入电荷的作用下完成极化翻转。薄的顶层注入层设计可以获得足够高的透射几率，使得器件在编程操作下快速完成电荷的注入，降低编程时间；电压撤去后，即使浮栅中的电荷从顶部栅极反向隧穿离开，铁电材料已完成反转，因其极化保持能力，器件表现出非易失存储特性。通过调整界面氧化硅层与铁电极化层的厚度比可以实现电荷的快速注入和极化快速翻转。这些优良特性使得其可以作为一种非易失性嵌入式存储器件。
本发明授权一种浮栅注入型铁电晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅注入型铁电晶体管，包括半导体衬底、纳米线沟道区、源区、漏区、层间介质、栅极、隔离层和金属引出层，其中，所述半导体衬底为SOI衬底，源区、漏区以及连接二者的纳米线沟道区形成于SOI衬底上，纳米线沟道区之上为层间介质和栅极，隔离层覆盖器件的表面；金属引出层通过通孔分别形成连接至源区、漏区和栅极的金属引出线；其特征在于，所述层间介质包括依次层叠在纳米线沟道区之上的界面氧化层、铁电极化层、金属浮栅层和顶层注入层，其中，所述金属浮栅层的材料为氮化钛；所述顶层注入层的材料为氧化铝或氧化硅，厚度为2~4nm；所述界面氧化层与铁电极化层的厚度比为1:4~1:5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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