买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉天通控股股份有限公司申请的专利一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119897756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510405863.5，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法是由徐秋峰;徐耀辉;汪万盾;张忠伟;张坚设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法，包括：对钽酸锂键合片进行减薄加工；根据减薄后钽酸锂键合片的膜厚分布对抛光键合片进行分区分步加压，并根据实时测得的膜厚拟合抛光速率模型，调整加压配方进行抛光。其中，通过抛光速率模型来判断最终停机厚度是否合理，并得出补偿，随后进行二次抛光。减薄加工保证了抛光前来料的一致性，为提升抛光膜厚均匀性提供基础；分区分步加压保证了键合片内的膜厚均匀性；抛光速率模型保证了键合片间的膜厚均匀性。

本发明授权一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法，其特征在于，包括下列步骤： 步骤a：对钽酸锂键合片进行减薄加工，包括： 对所述钽酸锂键合片依次进行粗减薄加工，减薄第一去除量；以及 对所述钽酸锂键合片进行精减薄加工，减薄第二去除量； 步骤b：根据减薄后钽酸锂键合片的膜厚分布对键合片进行加压抛光，并根据实时测得的膜厚拟合抛光速率模型，调整加压配方进行抛光，所述加压的方式为分区分步加压； 分区加压方式为，以钽酸锂键合片最外部的圆环形区域为基准区域，依据其余各区域的膜厚均值大于或小于基准区域膜厚均值的百分比，确定其余各区域的设定压力，进行加压； 所述设定压力的计算方法为，确定所述基准区域的设定压力为基准压力PWafer，依据其余各区域的膜厚均值大于或小于基准区域膜厚均值的百分比，计算其余各区域中任一区域的设定压力： ； 其中，Pi为所述其余各区域中任一区域的设定压力，Di为所述区域的膜厚均值，i=2，3，4；D1为基准区域膜厚均值； 当膜厚均值的极差小于600nm，PWafer=4psi，α=1.0； 当膜厚均值的极差大于等于600nm且小于1000nm，PWafer=3psi，α=1.3； 当膜厚均值的极差大于等于1000nm，PWafer=3psi，α=1.5。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天通控股股份有限公司，其通讯地址为：314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。