盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛帷半导体设备(上海)有限公司杨扬获国家专利权
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龙图腾网获悉盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛帷半导体设备(上海)有限公司申请的专利炉管设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510312070.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权炉管设备是由杨扬;贾社娜;张大海设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本炉管设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种炉管设备，涉及半导体制造设备领域，炉管设备，包括：工艺管，所述工艺管的内部用于形成工艺区；法兰件，设置于所述工艺管的下方，用于承载所述工艺管；晶舟，用于承载多个基片；密封盖，设置于所述晶舟和所述法兰件的下方，所述密封盖包括进气通道和吹扫部，所述进气通道具有进气端和出气端，所述进气端用于接收进气，所述出气端与所述吹扫部连通，所述吹扫部设置有多个气孔，所述多个气孔朝向所述工艺区设置，所述吹扫部靠近所述法兰件。通过气体的持续吹扫能够显著减少法兰件和密封盖表面的颗粒沉积，从而降低污染风险，优化工艺环境的洁净度，并能够降低法兰件和密封盖的清洁频率。
本发明授权炉管设备在权利要求书中公布了：1.一种炉管设备，其特征在于，包括： 工艺管，所述工艺管的内部用于形成工艺区； 法兰件，设置于所述工艺管的下方，用于承载所述工艺管； 晶舟，用于承载多个基片； 密封盖，设置于所述晶舟和所述法兰件的下方，所述密封盖内包括进气通道和吹扫部，所述进气通道具有进气端和出气端，所述进气端用于接收进气，所述出气端与所述吹扫部连通，所述吹扫部设置有多个气孔，所述多个气孔朝向所述工艺区设置，所述吹扫部靠近所述法兰件； 升降机构，用于带动所述晶舟和所述密封盖沿竖直方向升降，以使所述晶舟移入和移出所述工艺区，当所述晶舟移入所述工艺区后，所述密封盖与所述法兰件共同密封所述工艺区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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