买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510298242.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法是由王晓玉;张晓亮设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法，首先在具有第一金属层的目标晶圆上制作多层膜结构，然后利用一体化刻蚀工艺在多层膜结构制作露出第一金属层的槽口；刻蚀完成后，在除电工序中通入CON2组合气体作为等离子气体，在槽口表面沉积稳定的隔离保护层，以隔离刻蚀过程中在槽口产生的残留聚合物；除电完成后，将晶圆顶起转移至晶圆盒中；将晶圆盒中晶圆转移至湿法清洗工艺，清洗沉积金属层；采用CMP工艺去掉多余的金属层和多层膜结构，完成金属互联结构的制作；本发明通过改进除电工序防止一体化刻蚀工艺中产生缺陷，取得了意想不到的效果，使得中转时晶圆盒中无需高纯氮气保护，并且极限等待时间大幅度延长。

本发明授权防止一体化刻蚀工艺中缺陷及制备金属互联结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种防止一体化刻蚀工艺中缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用一体化刻蚀工艺形成槽口； 刻蚀完成后，在除电工序中通入CON2组合气体作为等离子气体，使得等离子气体发生反应，在槽口表面沉积稳定的隔离保护层，以隔离刻蚀过程中在槽口产生的残留聚合物； 除电完成后，将晶圆顶起转移至晶圆盒中； 将晶圆盒中晶圆转移至湿法清洗工艺，清洗去掉稳定的隔离保护层和残留聚合物； 除电工序中，设置射频电源功率为250W-450W，所述CON2组合气体中N2气和CO气体的流量比例为2:1-5:1，CO气体流量不小于100sccm； 所述除电工序包括如下三个阶段： 第一阶段、准备除电条件，刻蚀完成后，在刻蚀腔室内通入CON2组合气体，在达到第一压力后维持一段时间； 第二阶段：维持第一压力，启动射频电源，将CON2组合气体解离成等离子气体，在离子相互作用下，等离子气体在槽口及表面快速反应生成稳定的隔离保护层； 第三阶段：对静电卡盘施加反向电压，从而解除对晶圆的夹持。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。