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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低剖面圆极化频率可重构天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116404430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166872.4，技术领域涉及：H01Q15/14；该发明授权一种低剖面圆极化频率可重构天线是由贾永涛;周泽鹏;刘英;聂丽峰;刘烁烁设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低剖面圆极化频率可重构天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低剖面圆极化频率可重构天线，其特征在于，包括自上而下依次分布的顶层超表面结构、上层介质基板、天线馈电结构、下层介质基板、带有缝隙的金属地板和金属反射板，其中，顶层超表面结构由完全相同的多个超表面单元周期延拓形成，超表面单元还连接有第一PIN二极管和第一贴片电容；天线馈电结构包括直流偏置结构和微带馈线结构；带有缝隙的金属地板包括位于金属底板中部的缝隙结构，在缝隙结构的内部设置有第二PIN二极管，并且在缝隙结构的边缘设置有第二贴片电容；金属化过孔用于连接顶层金属贴片、天线馈电结构和带有缝隙的金属地板。通过加载超表面结构作为天线的辐射体，可以降低剖面高度，实现了天线圆极化辐射效果。

本发明授权一种低剖面圆极化频率可重构天线在权利要求书中公布了：1.一种低剖面圆极化频率可重构天线，其特征在于，包括自上而下依次分布的顶层超表面结构1、上层介质基板2、天线馈电结构3、下层介质基板4、带有缝隙的金属地板5和金属反射板6，其中， 所述顶层超表面结构1设置在所述上层介质基板2上表面，由完全相同的多个超表面单元11周期延拓形成，所述超表面单元11还连接有第一PIN二极管12和第一贴片电容13； 所述天线馈电结构3印刷于所述上层介质基板2的下表面，包括直流偏置结构31和微带馈线结构32，所述直流偏置结构31包括位于所述上层介质基板2上表面两侧的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构和所述第二子结构分别包括多个金属导线，每个金属导线通过金属化过孔7与所述第一PIN二极管12连接；所述微带馈线结构32位于所述第一子结构与所述第二子结构之间； 所述带有缝隙的金属地板5设置在所述下层介质基板4的下表面，包括位于所述金属地板中部的缝隙结构51，在所述缝隙结构51的内部设置有第二PIN二极管52，并且在所述缝隙结构51的边缘设置有第二贴片电容53； 所述金属反射板6设置在所述金属地板5的下方且与所述金属地板5间隔设置； 所述金属化过孔7的内表面涂覆有金属层，所述金属化过孔7上下贯穿，用于连接所述顶层超表面结构1、所述天线馈电结构3和所述带有缝隙的金属地板5。

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