中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116227275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310058982.9,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法是由罗先刚;徐明峰;蒲明博;郑宇晗;桑迪;郭迎辉;李雄;马晓亮设计研发完成,并于2023-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法在说明书摘要公布了:本发明公开了基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法,包括:选定初始超表面结构,根据像素化结构矩阵获得第一结构折射率分布;进行模糊处理及阈值滤波处理,获得第二结构折射率分布;设置入射源和目标平面进行正向仿真得到正向电场信息,以及目标平面处的实际光场时域信息;根据入射源的光场时域信息,拟合得到目标平面处的理想光场时域信息;以实际光场时域信息与理想光场时域信息之间的相关度作为目标函数,进行伴随仿真得到伴随电场信息;计算目标函数的值,根据正向电场信息和伴随电场信息计算梯度矩阵并更新像素化结构矩阵;重复上述步骤进行迭代计算,直至目标函数的值趋于收敛,根据最终更新的像素化结构矩阵获得光谱调控超表面。
本发明授权基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法在权利要求书中公布了:1.一种基于时域伴随拓扑优化的光谱调控超表面设计方法,其特征在于,包括如下步骤: S1,选定初始超表面结构,根据像素化处理后得到的像素化结构矩阵获得第一结构折射率分布; S2,对所述第一结构折射率分布进行模糊处理及阈值滤波处理,获得第二结构折射率分布; S3,设置入射源和目标平面,根据所述第二结构折射率分布进行正向仿真,得到结构层中的正向电场信息,以及目标平面处的实际光场时域信息; S4,根据所述入射源的光场时域信息,利用时域耦合模拟得到目标平面处的理想光场时域信息;将所述入射源的光场时域信息进行傅里叶变换得到入射源的光场频域信息,利用时域耦合模拟确定理想谱线的参数并拟合得到理想谱线,基于所述入射源的光场频域信息和理想谱线的参数计算得到目标平面处的理想光场频域信息,再进行傅里叶变换后得到所述目标平面处的理想光场时域信息; S5,以所述实际光场时域信息与所述理想光场时域信息之间的相关度作为目标函数,去除所述入射源并在所述目标平面处设置伴随源进行伴随仿真,得到结构层中的伴随电场信息; S6,计算目标函数的值,并根据所述结构层中的正向电场信息和伴随电场信息计算梯度矩阵,利用所述梯度矩阵更新所述像素化结构矩阵及第一结构折射率分布; S07,重复步骤S2~S6进行迭代计算,直至所述目标函数的值趋于收敛,根据最终更新的像素化结构矩阵获得光谱调控超表面。
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