买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉南京国兆光电科技有限公司申请的专利一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116075170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211713127.9，技术领域涉及：H10K50/18；该发明授权一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构是由刘腾飞;杨建兵;秦昌兵;张阳;李威利;张放设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构在说明书摘要公布了：一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，电子阻挡层由空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输主体材料与发光材料之间。发光层A由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，不含发光客体材料，发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。本发明通过器件结构设计产生两个空穴传输通道，利用发光层的共空穴传输效果，从而提升两个发光单元的空穴传输效率，降低由于材料HOMO能级不同导致的势垒效应，从而实现OLED器件的高寿命表现，具有低工作电压的特点，可适配单色与全彩发光器件。

本发明授权一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构在权利要求书中公布了：1.一种电子阻挡层与发光层搭配的硅基OLED器件结构，其特征在于：包括由下至上依次布置的硅基CMOS驱动基板、高功函数阳极、空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层、第二电子阻挡层、第二发光层、电子传输层、阴极出光层、薄膜封装层；所述第一发光层包括长度方向平行布置的第一发光层A、第一发光层B；所述第二发光层包括长度方向平行布置的第二发光层A、第二发光层B； 所述第一电子阻挡层由第一空穴传输主体材料与多种电子阻挡材料共掺组成，其中所述电子阻挡材料的HOMO能级介于空穴传输的主体材料与发光材料之间，选择至少两种材料进行掺杂；所述第一发光层A的主体材料采用共掺型主体发光材料构成，由电子阻挡层材料与空穴型发光主体材料共掺构成，且所述发光层A不含发光客体材料；所述第一发光层B的主体材料由包含所述第一发光层A中的电子阻挡材料的HOMO能级相近的主体材料与电子型发光主体材料共掺构成，第一发光层B的客体发光材料采用两种共掺发光材料结构，其中两种掺杂发光材料的HOMO能级分别与电子阻挡材料和空穴型主体材料的能级接近，形成独立的空穴通道。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京国兆光电科技有限公司，其通讯地址为：211111 江苏省南京市江宁区正方中路166号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。