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龙图腾网获悉中电普瑞科技有限公司;南瑞集团有限公司申请的专利一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111948505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910358226.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法是由王蓓蓓;栾洪洲;朱宁辉;张良;王轩;董亮;燕翚;刘道民;张彬设计研发完成，并于2019-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法在说明书摘要公布了：本发明一种用于测试GaN功率器件输出特性的电路及控制方法，所述电路包括：隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠FZB、电阻R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源；本发明提供的电路，可以在一个很小的工装板上实现GaN功率器件输出特性的测试，能够有效避免控制信号和主线路连接线带来的电磁干扰和寄生参数，提高测试结果的准确性。

本发明授权一种GaN功率器件输出特性的测试电路及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN功率器件输出特性的测试电路，其特征在于，所述电路包括： 隔离驱动芯片、GaN功率开关器件VT1、第一RC吸收保护电路、电感L、驱动磁珠FZB、电阻R、待测GaN功率开关器件VT2、第二RC吸收保护电路、直流电源Vd和高隔离电源； 所述隔离驱动芯片的副边供电端和所述高隔离电源的正向电压输出端连接；所述隔离驱动芯片的副边接地端和所述高隔离电源的负向电压输出端连接；所述高隔离电源的接地端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接； 所述隔离驱动芯片的输出端和所述驱动磁珠FZB的一端连接；所述驱动磁珠FZB的另一端分别和所述待测GaN功率开关器件VT2的门极、所述电阻R的一端连接；所述电阻R的另一端和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接；所述待测GaN功率开关器件VT2和所述第二RC吸收保护电路并联； 所述GaN功率开关器件VT1的门极和其源极连接；所述GaN功率开关器件VT1分别和所述第一RC吸收保护电路、电感L并联； 所述GaN功率开关器件VT1的源极和所述待测GaN功率开关器件VT2的漏极连接； 所述第一RC吸收保护电路和所述第二RC吸收保护电路串联； 所述直流电源Vd的正极和所述GaN功率开关器件VT1的漏极连接；所述直流电源Vd的负极和所述待测GaN功率开关器件VT2的源极连接； 所述第一RC吸收保护电路包括：第一电阻R1和与所述第一电阻串联的第一电容C1； 所述第二RC吸收保护电路包括：第二电阻R2和与所述第二电阻串联的第二电容C2。

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