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龙图腾网获悉中国电子工程设计院股份有限公司申请的专利一种半导体二次配管PID的生成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119918809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510397994.3，技术领域涉及：G06Q10/063；该发明授权一种半导体二次配管PID的生成方法及装置是由夏连鲲;程星华;徐策;杨光明;李舒欣;闫增会;刘学忠;刘畅;张峥;薛山山设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体二次配管PID的生成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体二次配管PID的生成方法，包括：获取用于半导体二次配管作业流程的初始流程数据；基于初始流程数据中各个参数的分布状态，匹配对应的归一化策略，得到标准流程数据；根据对标准流程数据的分析，得到标准流程数据中各个参数的信息量，结合每个参数的初始权重，给出标准流程数据中各个参数的特征权重；结合标准流程数据中各个参数的特征权重，对标准流程数据进行聚类分析，得到流程组件匹配数据；结合流程组件匹配数据，对各个组件进行分析调整，生成半导体二次配管PID。本发明给出的半导体二次配管PID生成方案提高了半导体二次配管PID生成的灵活性和准确性，以满足复杂工业流程的绘图需求。

本发明授权一种半导体二次配管PID的生成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体二次配管PID的生成方法，其特征在于，包括： 获取用于半导体二次配管作业流程的初始流程数据； 基于初始流程数据中各个参数的分布状态，匹配对应的归一化策略，得到标准流程数据，其中，参数包括节点信息、管道属性信息以及接口信息； 基于预设的工艺标准，对标准流程数据中不同参数进行排序，给出每个参数的初始权重，其中，预设的工艺标准为二次配管组件的安装要求和或配置要求； 结合标准流程数据中各个参数的信息量，对初始权重进行校正，得到特征权重，其中，信息量为离散程度度量； 基于预设的物理约束，从标准流程数据中确定初始簇中心，其中，预设的物理约束为标准流程数据中各个组件之间的连接关系，连接关系包括多个连接指标，连接指标包括各个组件之间的安全间距、各个组件是否存在交叉、各个组件是否接口匹配； 根据初始簇中心，结合标准流程数据中各个参数及各个参数的特征权重，给出初始簇中心与各个标准流程数据的距离； 分析初始簇中心与各个标准流程数据的距离，对簇中心进行更新迭代，并给出新的簇中心与各个标准流程数据的距离，其中，新的簇中心满足物理约束； 基于新的簇中心与各个标准流程数据的距离，分析每个簇中标准流程数据与簇中心的距离均值，给出聚类结果； 基于物理约束，对聚类结果进行判断，得到约束验证结果； 根据约束验证结果，调整聚类结果及标准流程数据中各个参数的特征权重，给出流程组件匹配数据； 结合流程组件匹配数据，对各个组件进行分析调整，生成半导体二次配管PID。

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