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龙图腾网获悉成都智芯雷通微系统技术有限公司申请的专利一种同时双极化的TR模块及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119921108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510396699.6，技术领域涉及：H01Q15/24；该发明授权一种同时双极化的TR模块及其制备方法是由黎颖设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种同时双极化的TR模块及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及相控阵天线领域，公开了一种同时双极化的TR模块及其制备方法。其中，TR模块包括：PCB多层天线板；PCB多层天线板包括：V极化层和H极化层；V极化层内设置有用于对V极化链路的信号进行放大和幅相调整的第一多功能芯片，H极化层内设置有用于对H极化链路的信号进行放大和幅相调整的第二多功能芯片，第二多功能芯片位于第一多功能芯片的正下方；第一多功能芯片与第一射频绝缘子连接，第一射频绝缘子与天线的V极化口连接；第二多功能芯片与第二射频绝缘子连接，第二射频绝缘子与天线的H极化口连接。本发明具有更高的集成度、更小的尺寸和更轻的重量，降低了系统复杂度和信号传输损耗，可生产效率更高。

本发明授权一种同时双极化的TR模块及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种同时双极化的TR模块，其特征在于，包括：PCB多层天线板（1）；所述PCB多层天线板（1）包括：V极化层（11）和H极化层（12）；所述V极化层（11）内设置有用于对V极化链路的信号进行放大和幅相调整的第一多功能芯片（111），所述H极化层（12）内设置有用于对H极化链路的信号进行放大和幅相调整的第二多功能芯片（121），所述第二多功能芯片（121）位于所述第一多功能芯片（111）的正下方；所述第一多功能芯片（111）与第一射频绝缘子（112）连接，所述第一射频绝缘子（112）与天线的V极化口连接；所述第二多功能芯片（121）与第二射频绝缘子（122）连接，所述第二射频绝缘子（122）与所述天线的H极化口连接； 所述V极化层（11）还包括：第一盲槽（113），所述第一盲槽（113）的开口朝上；所述H极化层（12）还包括：第二盲槽（123），所述第二盲槽（123）的开口朝下；所述第一多功能芯片（111）位于所述第一盲槽（113）内，所述第二多功能芯片（121）位于所述第二盲槽（123）内； 所述V极化层（11）还包括：第一吸波材料（114），所述H极化层（12）还包括：第二吸波材料（124）；所述第一吸波材料（114）覆盖在所述第一盲槽（113）的开口处，所述第二吸波材料（124）覆盖在所述第二盲槽（123）的开口处。

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