正泰新能科技股份有限公司许坤获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种TOPCon电池及TOPCon电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476796B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311606504.3，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种TOPCon电池及TOPCon电池的制备方法是由许坤;余浩;蔡永梅;何胜;徐伟智设计研发完成，并于2023-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TOPCon电池及TOPCon电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种TOPCon电池及TOPCon电池的制备方法，属于太阳能电池领域，该电池包括：衬底；衬底的一侧表面设置有叠层钝化膜和电极；叠层钝化膜包括沿背离衬底的方向依次设置的隧穿层、第一掺杂多晶硅层、扩散阻挡层和第二掺杂多晶硅层；衬底朝向电极的一侧表面具有金属化区域与非金属化区域，扩散阻挡层与非金属化区域对应，用于阻挡第二掺杂多晶硅层中的掺杂元素扩散进第一掺杂多晶硅层，使第一掺杂多晶硅层在非金属化区域的掺杂浓度低于第一掺杂多晶硅层在金属化区域的掺杂浓度。采用双层掺杂多晶硅层且在非金属化区域设置扩散阻挡层，降低内层掺杂多晶硅层的掺杂浓度，保证了降低俄歇复合速率的同时提高钝化效果。
本发明授权一种TOPCon电池及TOPCon电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon电池，其特征在于，包括：衬底；所述衬底的一侧表面设置有叠层钝化膜和电极； 所述叠层钝化膜包括沿背离所述衬底的方向依次设置的隧穿层、第一掺杂多晶硅层、扩散阻挡层和第二掺杂多晶硅层； 所述叠层钝化膜设置于所述衬底的背面，所述第一掺杂多晶硅层、所述第二掺杂多晶硅层与所述衬底采用同类型的掺杂元素，所述第一掺杂多晶硅层的整体掺杂浓度大于所述衬底的整体掺杂浓度，所述第二掺杂多晶硅层的整体掺杂浓度高于所述第一掺杂多晶硅层的整体掺杂浓度； 所述衬底朝向所述电极的一侧表面具有金属化区域与非金属化区域，所述扩散阻挡层与所述非金属化区域对应，用于阻挡所述第二掺杂多晶硅层中的掺杂元素扩散进所述第一掺杂多晶硅层，使所述第一掺杂多晶硅层在所述非金属化区域的掺杂浓度低于所述第一掺杂多晶硅层在所述金属化区域的掺杂浓度。
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